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第 1 章 配位化合物
1B 第 1 章 配位化合物 · 這一節歷年考 10 題 / 18.5 分

幾何構型

對應原文書:
Inorganic Chemistry Coordination Chemistry I: Structures and Isomers
Inorganic Chemistry Coordination Chemistry II: Bonding

配位數與常見幾何構型(CN = 2 至 7)

過渡金屬錯合物的空間幾何形狀主要取決於配位數(coordination number, CN)、中心金屬的 d 電子組態以及配位基的立體阻礙與場強。配位數由 2 至 7 的常見構型歸納如下:

配位數 2
以線形(linear)為主。常見於具備全滿球對稱 d 軌域的 \(d^{10}\) 金屬離子,例如 \([\mathrm{Ag(NH_3)_2}]^+\)、\([\mathrm{CuCl}_2]^-\)、\([\mathrm{Au(CN)}_2]^-\) 及 \(\mathrm{Hg(CN)}_2\)。若為非 \(d^{10}\) 的過渡金屬,則通常需藉由極大立體阻礙的配位基迫使其維持低配位數之近線形結構。
配位數 3
主要呈現平面三角形(trigonal planar)。常見於 \(d^{10}\) 金屬錯合物如 \([\mathrm{Au(PPh_3)}_3]^+\),或利用巨大配位基穩定的錯合物如 \(\mathrm{Fe\{N(SiMe_3)_2\}_3}\)。
配位數 5
包含雙三角錐(trigonal bipyramidal)與四方錐(square pyramidal)。這兩種結構之間的能量差異極小,分子常展現流變性(fluxional behavior)。例如 \(\mathrm{Fe(CO)}_5\) 在固態為雙三角錐,但在溶液中因兩種構型快速互變,於 NMR 光譜中僅顯示單一碳訊號;\(\mathrm{VO(acac)}_2\) 則呈四方錐構型,由雙鍵氧原子佔據錐頂位置。其他實例包括 \([\mathrm{CuCl}_5]^{3-}\) 與 \([\mathrm{Ni(CN)}_5]^{3-}\)。
配位數 6
最常見的配位數,其主導幾何為八面體(octahedral),廣泛存在於 \(d^0 \sim d^{10}\) 系統中。極少數具特定螯合配位基(如二硫醇類配位基)的錯合物會呈現三角柱(trigonal prism,如 \(\mathrm{Re(C_{14}H_{10}S_2)_3}\))或反三角柱(trigonal antiprism)結構。
配位數 7
常見構型包含雙五角錐(pentagonal bipyramid,如 \([\mathrm{UO}_2\mathrm{F}_5]^{3-}\))、加帽三角柱(capped trigonal prism,如 \([\mathrm{NbF}_7]^{2-}\))與加帽八面體(capped octahedron,如 \([\mathrm{W(CO)}_4\mathrm{Br}_3]^-\))。七配位構型的選擇主要由配位基的立體效應主導。
配位數 (CN)
主要幾何構型
代表實例
2
線形
\([\mathrm{Ag(NH_3)}_2]^+\)、\([\mathrm{CuCl}_2]^-\)
3
平面三角形
\([\mathrm{Au(PPh_3)}_3]^+\)、\(\mathrm{Fe\{N(SiMe_3)_2\}_3}\)
4
四面體、平面四邊形
\(\mathrm{Ni(CO)}_4\)(四面體)、\([\mathrm{Ni(CN)}_4]^{2-}\)(平面四邊形)
5
雙三角錐、四方錐
\(\mathrm{Fe(CO)}_5\)(雙三角錐)、\(\mathrm{VO(acac)}_2\)(四方錐)
6
八面體
\([\mathrm{Co(en)}_3]^{3+}\)、\([\mathrm{Co(H_2O)}_6]^{2+}\)
7
雙五角錐、加帽三角柱、加帽八面體
\([\mathrm{UO}_2\mathrm{F}_5]^{3-}\)、\([\mathrm{NbF}_7]^{2-}\)、\([\mathrm{W(CO)}_4\mathrm{Br}_3]^-\)
四配位錯合物:四面體與平面四邊形的競爭

四配位系統(CN = 4)是各類化學考試中最核心的幾何判斷重點,中心金屬主要在四面體(tetrahedral)與平面四邊形(square-planar)兩種幾何之間競爭。

四面體構型的偏好條件

當錯合物為四面體時,四個配位基之間的夾角為 \(109.5^\circ\),比平面四邊形的 \(90^\circ\) 具有更小的配位基間立體互斥阻礙。下列電子組態強烈偏好四面體:

\(d^0\) 與 \(d^{10}\) 系統
d 軌域完全排空或全滿,具有球對稱的電子分佈,無配位場穩定化能的幾何偏好,幾何形狀完全受立體排斥極小化主導。例如 \(d^0\) 的 \(\mathrm{MnO}_4^-\)、\(\mathrm{CrO}_4^{2-}\)、\(\mathrm{TiCl}_4\),以及 \(d^{10}\) 的 \(\mathrm{Ni(CO)}_4\)、\([\mathrm{Cu(py)}_4]^+\)、\([\mathrm{Zn(NH_3)}_4]^{2+}\)。
\(d^5\) 高自旋系統
如 \([\mathrm{MnCl}_4]^{2-}\),d 軌域各半填滿,同樣具球對稱性,偏好四面體。
\(d^7\) 與 \(d^8\) 弱場系統
例如 \(d^7\) 的 \(\mathrm{Co(II)}\) 氯錯離子 \([\mathrm{CoCl}_4]^{2-}\),以及 \(d^8\) 的 \(\mathrm{Ni(II)}\) 鹵素錯離子 \([\mathrm{NiCl}_4]^{2-}\)。當配位基為弱場配位基(如鹵素)時,配位場分裂能不足以克服電子成對能,立體互斥效應使錯合物偏好四面體。
平面四邊形構型的偏好條件

平面四邊形幾何主要出現在 \(d^8\) 金屬離子中:

4d 與 5d 的 \(d^8\) 離子
例如 \(\mathrm{Pd(II)}\)、\(\mathrm{Pt(II)}\)、\(\mathrm{Rh(I)}\)、\(\mathrm{Au(III)}\) 與 \(\mathrm{Ir(I)}\)。由於 4d 與 5d 軌域延伸範圍大,與配位基重疊良好,配位場分裂能極大,不論搭配強場或弱場配位基,皆形成反磁性的低自旋平面四邊形錯合物。常見實例包括順鉑 \(\mathrm{PtCl}_2(\mathrm{NH}_3)_2\)、\([\mathrm{PtCl}_4]^{2-}\) 與 \([\mathrm{RhCl(PPh_3)}_3]\)。
3d 的 \(d^8\) 離子(以 \(\mathrm{Ni(II)}\) 為代表)
3d 金屬的配位場分裂能相對較小,幾何構型取決於配位基場強。強場配位基(如具顯著 \(\pi\) 受體特性的 \(\mathrm{CN}^-\))能造成巨大的軌域分裂,促使電子成對落入低能階軌域,形成反磁性平面四邊形錯合物 \([\mathrm{Ni(CN)}_4]^{2-}\);相對地,弱場配位基(如 \(\mathrm{Cl}^-\))則形成順磁性四面體 \([\mathrm{NiCl}_4]^{2-}\)。
4d 與 5d 的 \(d^8\) 金屬中心(\(\mathrm{Pd^{2+}}\)、\(\mathrm{Pt^{2+}}\))幾乎必然形成平面四邊形;3d 的 \(d^8\) 金屬中心(\(\mathrm{Ni^{2+}}\))則由配位基決定:強場配位基形成平面四邊形,弱場配位基形成四面體。
\(d^9\) 離子的結構多變性

\(d^9\) 金屬離子(如 \(\mathrm{Cu(II)}\))受到 Jahn-Teller 效應影響,構型多變。四配位的 \([\mathrm{CuCl}_4]^{2-}\) 容易從純四面體產生扭曲,其 \(\mathrm{Cl-Cu-Cl}\) 鍵角常偏離 \(109.5^\circ\)(例如兩組鍵角約 \(102^\circ\)、另兩組約 \(125^\circ\)),結構隨晶格中的反向陽離子而異,介於四面體、平坦化四面體與平面四邊形之間。

例題 1B-1 Miessler 9.4.2 / 10.6

請比較四配位錯離子 \([\mathrm{CoCl}_4]^{2-}\) 與 \([\mathrm{Ni(CN)}_4]^{2-}\) 的幾何構型,並由金屬氧化態、d 電子數以及配位基場強詳細說明兩者幾何構型不同的原因。

詳解:

a. 判斷金屬中心氧化態與 d 電子數

在 \([\mathrm{CoCl}_4]^{2-}\) 中,氯離子帶 \(-1\) 價,鈷金屬氧化態為 \(+2\)。\(\mathrm{Co}\) 中性原子組態為 \([\mathrm{Ar}]4s^2 3d^7\),故 \(\mathrm{Co(II)}\) 為 \(d^7\) 離子。
在 \([\mathrm{Ni(CN)}_4]^{2-}\) 中,氰根離子帶 \(-1\) 價,鎳金屬氧化態為 \(+2\)。\(\mathrm{Ni}\) 中性原子組態為 \([\mathrm{Ar}]4s^2 3d^8\),故 \(\mathrm{Ni(II)}\) 為 \(d^8\) 離子。

b. 分析配位基場強與立體效應

\([\mathrm{CoCl}_4]^{2-}\):
\(\mathrm{Cl}^-\) 為弱場配位基(亦為 \(\pi\) 予體),其產生的配位場分裂能較小,不足以驅動低自旋電子配對。四面體構型配位基間夾角為 \(109.5^\circ\),比平面四邊形的 \(90^\circ\) 具有更小的配位基排斥能,因此 \(d^7\) 的 \([\mathrm{CoCl}_4]^{2-}\) 採取四面體(tetrahedral)幾何構型。
\([\mathrm{Ni(CN)}_4]^{2-}\):
\(\mathrm{CN}^-\) 為強場配位基(具強烈 \(\pi\) 受體能力),能產生極大的配位場分裂。在四配位下,強配位場使 \(d^8\) 離子強烈偏好平面四邊形場分裂,8 個 d 電子全部配對填入能量較低的四個 d 軌域,留下高能量的 \(d_{x^2-y^2}\) 軌域排空,獲得顯著的配位場穩定化能。因此,\([\mathrm{Ni(CN)}_4]^{2-}\) 採取反磁性的平面四邊形(square-planar)構型。
例題 1B-2 Miessler 9.4.2 / 10.6

說明錯離子 \([\mathrm{Co(H_2O)}_6]^{2+}\) 呈現八面體構型、而四羰基鎳 \(\mathrm{Ni(CO)}_4\) 呈現四面體構型的原因。

詳解:

a. \([\mathrm{Co(H_2O)}_6]^{2+}\) 呈現八面體的原因

配位數判斷:
該錯離子中心鈷接有 6 個水分子配位基,配位數為 6。
幾何構型偏好:
八面體是配位數 6 最常見且能量最穩定的基本幾何構型。由金屬-配位基鍵結能量考量,形成六個 \(\mathrm{M-L}\) 鍵所釋放的鍵結穩定化能量遠高於四配位錯合物。\(\mathrm{Co(II)}\) 為 \(d^7\) 系統,在六配位水溶液中優先採取八面體(octahedral)幾何形狀。

b. \(\mathrm{Ni(CO)}_4\) 呈現四面體的原因

配位數與電子組態判斷:
\(\mathrm{Ni(CO)}_4\) 含有 4 個羰基(\(\mathrm{CO}\))配位基,配位數為 4。由於 \(\mathrm{CO}\) 為中性分子,中心金屬鎳的氧化態為 0,其電子組態為 \(d^{10}\)。
幾何構型偏好:
\(d^{10}\) 組態中 d 軌域全滿,呈現球對稱分佈,配位場對不同幾何沒有額外的穩定化能偏好。因此,決定幾何構型的關鍵在於配位基之間的空間互斥最小化。四面體各鍵角為 \(109.5^\circ\),空間排斥顯著小於平面四邊形(\(90^\circ\)),因此 \(d^{10}\) 的 \(\mathrm{Ni(CO)}_4\) 採取正四面體(tetrahedral)幾何構型。
六配位錯合物與結構歪斜

八面體是六配位最普遍的幾何基調。在熱力學上,形成六個金屬-配位基鍵結所帶來的鍵結穩定化能量,使多數金屬離子在無嚴重立體阻礙下優先採取六配位八面體構型。

四方歪斜(Tetragonal Distortion)

當八面體錯合物的 d 軌域電子組態不對稱時,會發生 Jahn-Teller 效應,造成八面體沿單一軸向產生形變:

軸向拉長(Elongation)
位於 \(z\) 軸上的兩個反式配位基鍵長拉長,而在 \(xy\) 平面上的四個配位基鍵長縮短。
軸向壓縮(Compression)
位於 \(z\) 軸上的兩個配位基鍵長縮短,平面四個鍵長拉長。

四方伸長在固態化學中十分普遍,例如固態 \(\mathrm{CrF}_2\)(高自旋 \(d^4\),\(\mathrm{Cr(II)}\))晶體中具有四個長度為 200 pm 與兩個長度為 243 pm 的 \(\mathrm{Cr-F}\) 鍵。類似現象亦見於六配位銅離子,例如 \([\mathrm{CuCl}_6]^{4-}\) 具有三組互為反式的 \(\mathrm{Cu-Cl}\) 鍵長(225.1 pm、236.1 pm、310.5 pm),呈現對稱性下降的歪斜八面體。

表觀四配位與實質六配位

部分晶體表面上化學式看似四配位,但在晶格中軸向位置存在距離較遠的弱配位原子,本質上應視為高度四方伸長的歪斜八面體。例如 \((\mathrm{NH}_4)_2[\mathrm{CuCl}_4]\) 中的銅離子於上下軸向存在較遠的氯離子;\([\mathrm{Cu(NH_3)}_4]\mathrm{SO}_4 \cdot \mathrm{H}_2\mathrm{O}\) 的平面四邊形 \([\mathrm{Cu(NH_3)}_4]^{2+}\) 單元軸向亦連結較遠的水分子。

練習題

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